[发明专利]一种低翘曲度键合片的键合方法在审
| 申请号： | 202211314579.X | 申请日： | 2022-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN115621403A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 郑洪仿;旷明胜;陈慧秋 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广东广盈专利商标事务所(普通合伙) 44339 | 代理人： | 李俊 |
| 地址： | 528226 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低翘曲度键合片的键合方法，涉及半导体制造领域，包括以下步骤：在外延层、硅衬底的预键合面形成第一、第二键合材料，对准后置入具有弧面的石墨盘中进行键合；使其升温至第一温度并对其施加第一压力，保持第一时间以使键合材料熔化融合；使温度从第一温度按温度差值以等差数列的形式分段递减降至预设温度，同时将压力从第一压力按压力差值以等差数列的形式分段递减降至预设压力，且每阶段按照预设时间值保持一段时间。本发明的方法通过使用具有弧面的石墨盘进行键合，而且控制温度与压力阶段性同时降低且每阶段保持一定时间，能减小键合结构中的应力，降低键合结构的翘曲度，获得具有低翘曲度的键合片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 曲度 键合片 方法 | ||
【主权项】：
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