[发明专利]一种高剩磁比单一取向的M型铁氧体异质结薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种高剩磁比单一取向的M型铁氧体异质结薄膜的制备方法，该方法选用了（111）晶向的SrTiO3单晶基片作为沉积薄膜的基底，Sr3Al2O6作为薄膜缓冲层，得到结构为BaFe12O19(0001)/Sr3Al2O6/SrTiO3的异质结薄膜。其制备方法包括以下步骤：（1）使用脉冲激光沉积系统（PLD）在单晶SrTiO3(111)衬底上沉积Sr3Al2O6薄膜层。（2）使用脉冲激光沉积系统在Sr3Al2O6/SrTiO3异质结结构上沉积BaFe12O19薄膜层。本实验以Sr3Al2O6作为缓冲层，制备了BaFe12O19(0001)/Sr3Al2O6/SrTiO3异质结取向膜。后续的磁性结果显示，材料的剩磁比高达0.97，矫顽场增加至15 kOe，这使得该材料在微波吸收、垂直磁记录等方面具有广阔的应用前景。