[发明专利]一种激光剥离碳化硅晶锭的方法及装置在审
| 申请号： | 202211322500.8 | 申请日： | 2022-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN115555736A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 侯煜;李曼;张喆;石海燕;张昆鹏;文志东;张紫辰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B23K26/38 | 分类号： | B23K26/38;B23K26/70;B23K101/40 |
| 代理公司： | 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 11667 | 代理人： | 袁铭广 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种激光剥离碳化硅晶锭的方法及装置，该方法先将超短脉冲激光光束透过碳化硅晶锭的第一端面后聚焦在碳化硅晶锭的设定深度层，在设定深度层的上方分别产生空洞改质形成区域和裂纹改质形成区域，并扫描形成空洞改质层和裂纹改质层。再将短脉冲激光光束透过碳化硅晶锭的第二端面后聚焦在空洞改质形成区域，在空洞改质形成区域散射传播，使短脉冲激光光束的热量作用于空洞改质形成区域，使裂纹改质形成区域内的裂纹横向向外生长，并扫描使空洞改质层中相邻的空洞改质形成区域内的裂纹通过横向生长连接在一起。减少改质层内的裂纹沿碳化硅晶锭纵向扩展的量和长度，增加横向裂纹生长的数量和裂纹生长长度，减少切割损耗厚度，减少浪费。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 剥离 碳化硅 方法 装置 | ||
【主权项】：
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