[发明专利]单晶硅制备装置及方法有效
| 申请号： | 202211322619.5 | 申请日： | 2022-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN115467014B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 曹建伟;朱亮;高宇;叶钢飞;陈思源 | 申请（专利权）人： | 浙江求是半导体设备有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B15/14;C30B29/06 |
| 代理公司： | 杭州钤韬知识产权代理事务所(普通合伙) 33329 | 代理人： | 安佳伟 |
| 地址： | 311100 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请提供一种单晶硅制备装置，装置包括：晶体生长炉本体；坩埚；升降机构，用于将籽晶垂直升降；导流筒；装置还包括：主加热单元，设在位于坩埚外侧；副加热单元，位于坩埚和导流筒之间，处于熔体液面上方，用于对熔体进行加热；控制单元，用于控制主加热单元和/或副加热单元的功率，以使晶体等径生长；其中，控制单元在控制加热单元的功率时，控制单元优先选择控制副加热单元。本申请还提供一种单晶硅制备方法。本申请通过增设一直接向熔体液面辐射热量的副加热单元，通过调节副加热单元的功率影响熔体液面温度，可以有效延长坩埚的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 制备 装置 方法 | ||
【主权项】：
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