[发明专利]HEMT器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202211327142.X | 申请日： | 2022-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN115663019A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 房育涛;王倩;叶念慈;张洁 | 申请（专利权）人： | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京维昊知识产权代理事务所(普通合伙) 11804 | 代理人： | 齐记 |
| 地址： | 410000 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本公开涉及一种HEMT器件及其制造方法，该HEMT器件包括：包括：衬底；外延层，其设置在衬底上，外延层包括：第一半导体叠层和设置在第一半导体叠层上的第二半导体层；第一半导体叠层和第二半导体层之间的界面处形成有二维电子气；端子层，其包括设置在第二半导体层上且间隔布置的源极、漏极和栅极；导电层，其设置外延层内并位于衬底与二维电子气之间；电耦合结构，其从栅极向外延层内延伸并与导电层连接，用于将导电层电耦合至栅极；高阻结构，其至少部分地设在导电层与二维电子气之间，以及电耦合结构与二维电子气之间。该HEMT器件能够有效降低HMTE器件高电压下栅极的电场强度，从而提高器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | hemt 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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