[发明专利]红外线光设备在审
| 申请号： | 202211327557.7 | 申请日： | 2022-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN116053351A | 公开（公告）日： | 2023-05-02 |
| 发明（设计）人： | 藤田浩己;诸原理;安田大贵 | 申请（专利权）人： | 旭化成微电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/16 | 分类号： | H01L31/16;H01L31/0216;H01L31/0304;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高性能的红外线光设备，其具备能够在中红外区域广泛利用的反射层结构。红外线光设备具备在中心波长λ具有峰的光接收和发射特性，所述红外线光设备具备半导体基板和薄膜层叠部，所述薄膜层叠部依次具有形成在半导体基板上的第一反射层、具有第一导电型的下部半导体层、光接收和发射层、具有第二导电型的上部半导体层、以及第二反射层，第一反射层包含构成材料含有AlGaInAsSb(0≤Al+Ga≤0.5、0≤As≤1.0)且杂质浓度不同的多个层，中心波长λ在室温下为2.5μm以上。 | ||
| 搜索关键词： | 红外线 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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