[发明专利]一种半导体釉及其制造方法在审
| 申请号： | 202211327640.4 | 申请日： | 2022-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN115521068A | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 肖波;赵明彪;张学辉;赖波;刘宇 | 申请（专利权）人： | 江西省星海电瓷制造有限公司 |
| 主分类号： | C03C8/00 | 分类号： | C03C8/00;C04B41/86 |
| 代理公司： | 南京鼎坤专利代理事务所(普通合伙) 32681 | 代理人： | 王芳芳 |
| 地址： | 337200*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体釉，包括以下质量份的原料组成：长石20‑40份、石英5‑20份、微铝粉0.5‑3份、瓷粉10‑20份、滑石粉2‑8份、宜春土2‑10份、界牌泥2‑10份、坯泥1‑10份、方解石1‑10份、氧化锡5‑20份、氧化锑1‑10份，导电剂5‑20份，所述导电剂包括：高纯二氧化锡、高纯五氧化二锑、稀土氧化铈。通过在普通釉基础上添加10‑30％重量的导电性金属氧化物或化合物而制得,其基本结构是在釉玻璃基质中均匀分布具有导电性的结晶网络或固溶体微粒，采用新型的半导体釉绝缘子。这种绝缘子釉层的表面电阻率为100‑150Ω，在运行中因通过电流而发热，使表面始终保持干燥，同时使表面电压分布较均匀，从而能保持较高的闪络电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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