[发明专利]发光二极管及发光装置在审

专利信息
申请号: 202211328340.8 申请日: 2022-10-27
公开(公告)号: CN115911214A 公开(公告)日: 2023-04-04
发明(设计)人: 李维环;陈劲华;高鹏;宁甫阳;刘晓峰;彭钰仁;郭桓邵;王笃祥;张家宏 申请(专利权)人: 天津三安光电有限公司
主分类号: H01L33/40 分类号: H01L33/40;H01L33/02;H01L33/14
代理公司: 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 代理人: 杨泽奇
地址: 300384 天津*** 国省代码: 天津;12
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种发光二极管,其外延结构包括第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层;第一类型半导体层包括第一类型窗口层,第一类型窗口层的一侧设置有第一类型欧姆接触层;第一类型欧姆接触层的材料为Alx1Gay1InP,第一类型窗口层的材料为Alx2Gay2InP,第一类型欧姆接触层中Al的含量小于第一类型窗口层Al的含量。本发明提供的发光二极管,在外延结构材料为铝镓铟磷基础上,通过对第一类型欧姆接触层和第一类型窗口层的设计,降低第一类型欧姆接触层与第一类型半导体层之间的势垒高度,降低第一类型欧姆接触层和第一类型窗口层的本征波长,减少欧姆接触层和第一类型窗口层的吸光,解决发光二极管发光效率不足的问题。
搜索关键词: 发光二极管 发光 装置
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津三安光电有限公司,未经天津三安光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202211328340.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top