[发明专利]一种石英衬底InP HEMT有源层集成方法在审
| 申请号： | 202211335300.6 | 申请日： | 2022-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN115662898A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 戴家赟;吴立枢;郭怀新;孔月婵;朱健;陈堂胜 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L21/683 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 陆烨 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开一种石英衬底InP HEMT有源层集成方法，具体为：1：在晶圆的有源层上旋涂第一临时键合粘附剂后放在热板上预烘烤；2：将第一支撑载片与有源层键合；3：减薄晶圆的衬底；4：在第二支撑载片上旋涂第二临时键合粘附剂后放在热板上预烘烤；5：将第二支撑载片与晶圆衬底键合；6：将第一支撑载片与晶圆的有源层分离，并清洗晶圆有源层的表面；7：在晶圆有源层上旋涂永久性键合材料，将石英衬底与晶圆的有源层进行永久键合；8：将第二支撑载片与晶圆的衬底分离，并清洗晶圆衬底；9：将晶圆的衬底完全去除；10：去除晶圆的自停止层和缓冲层。本发明解决了直接键合过程中因高温条件、材料热失配等因素导致的键合晶圆破裂的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石英 衬底 inp hemt 有源 集成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
