[发明专利]一种制作MOEMS器件下梳齿的制备方法在审
| 申请号： | 202211341930.4 | 申请日： | 2022-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN115626606A | 公开（公告）日： | 2023-01-20 |
| 发明（设计）人： | 曹卫达;黄斌;宋东方;赵娟;丁景兵;丁艳丽 | 申请（专利权）人： | 华东光电集成器件研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙) 34113 | 代理人： | 杨晋弘 |
| 地址： | 233030 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制作MOEMS器件下梳齿的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、取第一SOI晶圆，在其上制作浅腔和隔离槽；S2、第一次刻蚀下梳齿，形成下梳齿的第一部分；S3、第二次刻蚀下梳齿，形成下梳齿的第二部分；S4、取第二SOI晶圆，而后将第一、二SOI晶圆键合；S5、刻蚀上梳齿同时第三次刻蚀下梳齿，最终形成高垂直度下梳齿结构。本发明工艺方法简单，解决了常规工艺方法制作的下梳齿垂直度低，剖面形状变为“异形”的问题；保证了上下梳齿间距的高精度和MOEMS器件的高性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 moems 器件 梳齿 制备 方法 | ||
【主权项】：
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