[发明专利]提高硅片平坦度降低硅材料消耗的工艺在审
| 申请号： | 202211343732.1 | 申请日： | 2022-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN115714082A | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 何荣 | 申请（专利权）人： | 浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司;杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 杭州融方专利代理事务所(普通合伙) 33266 | 代理人： | 沈相权;詹雨露 |
| 地址： | 323000 浙江省丽水市莲都区南明山*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种提高硅片平坦度降低硅材料消耗的工艺，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：进行线切割。第二步：一次倒角。第三步：研磨去除量65μm。第四步：二次倒角，二次倒角将硅片加工成目标形状（T‑type）。第五步：酸腐蚀。第六步：碱腐蚀去除量5μm。第七步：Grinding（单面研削）去除量9μm。第八步：边缘抛光采用BBS边抛机加工，对notch和边缘外周进行抛光加工。第九步：抛光去除量6μm，采用背面贴蜡单面抛光，通过5连抛进行加工：粗抛→粗抛→粗抛→中抛→精抛。第十步：进行去蜡洗净，去除硅片背面蜡残，最终洗净采用SC1药液浸泡进行清洗。具有操作便捷和效果明显的特点。提高硅片平坦度，并且降低切片厚度，节省硅材料。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 硅片 平坦 降低 材料 消耗 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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