[发明专利]高效制备高质量碳化硅单晶的生长装置在审
| 申请号： | 202211344731.9 | 申请日： | 2022-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN115613138A | 公开（公告）日： | 2023-01-17 |
| 发明（设计）人： | 李远田;陈俊宏 | 申请（专利权）人： | 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 221000 江苏省徐州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高效制备高质量碳化硅单晶生长装置，包括第一坩埚、第二坩埚和过滤部；籽晶纵向安装在第一坩埚内，且籽晶初始生长台阶端靠近第一坩埚顶壁；第二坩埚限定出原料腔，原料腔与第一坩埚内部连通；过滤部限定出容纳腔，容纳腔内设置有气氛调节件，气氛调节件包括碳框架和硅颗粒，硅颗粒内置在碳框架内部；过滤部安装在第二坩埚的出气口处，并对第二坩埚出气口形成遮挡，第二坩埚的出气口位于籽晶下方，第二坩埚内的原料升华为气体后经过滤部过滤后进入到第一坩埚内。本发明在长晶过程中能够降低籽晶初始生长台阶端的生长速率，同时能够调节碳化硅气氛中的Si/C原子比，从而降低晶体初期相变发生的概率，提高晶体的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 高效 制备 质量 碳化硅 生长 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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