[发明专利]同时监控关键尺寸和刻蚀粗糙度的版图结构及其使用方法在审
| 申请号： | 202211347515.X | 申请日： | 2022-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN115692228A | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 刘沛 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 刘昌荣 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种同时监控关键尺寸和刻蚀粗糙度的版图结构，包括芯轴图形，芯轴图形用于定义出半导体衬底上芯轴结构形成的位置，芯轴结构用于定义出侧墙形成的位置，侧墙用于作为刻蚀时的掩膜在半导体衬底上形成半导体结构；切割图形，切割图形用于对半导体衬底上的半导体结构部分截断；第一光罩图形，第一光罩图形用于定义出半导体衬底上第一、二测量区域，第一测量区域上形成芯轴结构，第二测量区域上不形成芯轴结构，身上所芯轴结构形成于牺牲层上；第二光罩图形，第二光罩图形用于在牺牲层去除后，定义出第二测量区域上保护层形成的位置。本发明可监控刻蚀后关键尺寸和刻蚀粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 同时 监控 关键 尺寸 刻蚀 粗糙 版图 结构 及其 使用方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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