[发明专利]一种抗单粒子栅损伤的SiC基VDMOSFET器件在审
| 申请号： | 202211356503.3 | 申请日： | 2022-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN115799334A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 宋庆文;张男;汤晓燕;袁昊;兰春颖 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/36;H01L29/423;H01L29/47 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 勾慧敏 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种抗单粒子栅损伤的SiC基VDMOSFET器件，包括漏极、衬底和N‑漂移区，N‑漂移区上表面形成第一P+欧姆接触区和第二P+欧姆接触区，第一P+欧姆接触区内侧形成第一P型基区，第二P+欧姆接触区内侧形成第二P型基区；第一P型基区上表面形成第一N+源区，第二P型基区上表面形成第二N+源区；第一P+欧姆接触区上形成第一源极；第二P+欧姆接触区上形成第二源极；N‑漂移区上形成P+保护区和P+保护区电极；P+保护区电极两侧设置有第三源极和第四源极；第一源极与第三源极之间、第二源极与第四源极之间分别设置栅介质层和栅极。本发明可实现单粒子入射带来的栅氧界面过剩空穴的快速抽取，且有效抑制肖特基结的反向泄漏电流及两侧栅氧中的强电场。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 粒子 损伤 sic vdmosfet 器件 | ||
【主权项】：
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