[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202211359364.X | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN115954384A | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 郝荣晖;陈扶;何川;黄敬源 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 氮化物型的半导体器件，包括缓冲体、第一氮化物半导体层、屏蔽层、第二氮化物半导体层、源极/漏极电极和栅极电极。第一氮化物半导体层设置在缓冲体上。屏蔽层设置在缓冲体和第一氮化物半导体层之间，并且包括第一隔离化合物，其中第一隔离化合物的带隙大于第一氮化物半导体层的带隙，且第一隔离化合物至少包括第三族元素和氧元素。第二氮化物半导体层设置在第一氮化物半导体层上，其具有的带隙小于第一隔离化合物的带隙且大于第一氮化物半导体层的带隙。一对源极/漏极电极和栅极电极设置述第二氮化物半导体层上，其中栅极电极位于源极/漏极电极之间，且源极/漏极电极和栅极电极于缓冲体上的垂直投影完全落在屏蔽层于缓冲体上的垂直投影内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
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