[发明专利]一种电荷耦合器件以及电荷耦合器件的制备方法在审
| 申请号： | 202211362393.1 | 申请日： | 2022-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN115588678A | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 高亮;陈龙;唐江;张建兵;张琳祥 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/148 | 分类号： | H01L27/148 |
| 代理公司： | 深圳市温斯顿专利代理事务所(普通合伙) 44686 | 代理人： | 徐员兰 |
| 地址： | 430000 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电荷耦合器件和电荷耦合器件的制备方法，本发明的电荷耦合器件包括：功能层；硅半导体层，所述硅半导体层位于所述功能层的表面；胶体量子点半导体层，位于所述硅半导体层远离所述功能层的一侧；所述胶体量子点半导体层具有短波红外吸收特性，用于吸收光子，并将其转换为电荷。本申请的电荷耦合器件利用胶体量子点半导体层吸收特定波段的红外光线，能够实现较传统硅基电荷耦合器件更高的光谱探测范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电荷耦合器件 以及 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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