[发明专利]一种阵列式FET加热的插指气敏传感器及其加工方法有效
申请号: | 202211369625.6 | 申请日: | 2022-11-03 |
公开(公告)号: | CN115420777B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 任青颖;柳俊文;史晓晶;李卫;胡引引 | 申请(专利权)人: | 南京元感微电子有限公司 |
主分类号: | G01N27/12 | 分类号: | G01N27/12 |
代理公司: | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人: | 李明;赵吉阳 |
地址: | 210032 江苏省南京市江宁开*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明涉及气敏传感器技术领域,公开一种阵列式FET加热的插指气敏传感器及其加工方法,阵列式FET加热的插指气敏传感器包括:衬底,设有隔热腔室,隔热腔室内设有硅岛;绝缘层,位于衬底和硅岛的同一侧;FET加热阵列,包括若干个FET加热单元,每个FET加热单元均包括栅极和若干个间隔排布在硅岛内的掺杂极,掺杂极分为源极和漏极;若干个插指敏感电极,形成在绝缘层上;若干个气敏层,每个气敏层均覆盖在一个插指敏感电极上;多孔微组件,填充在隔热腔室内。本发明公开的阵列式FET加热的插指气敏传感器,具有加热均匀、出现裂纹的概率低及使用寿命长的优点,增设的多孔微组件提升了气敏传感器的结构强度,适用于恶劣环境。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 fet 加热 插指气敏 传感器 及其 加工 方法 | ||
【主权项】:
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