[发明专利]一种MOS管制造工艺在审
| 申请号： | 202211374427.9 | 申请日： | 2022-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN115565859A | 公开（公告）日： | 2023-01-03 |
| 发明（设计）人： | 顾挺 | 申请（专利权）人： | 张家港凯思半导体有限公司;江苏协昌电子科技股份有限公司;张家港凯诚软件科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/306;H01L21/335 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215612 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种MOS管制造工艺，具体涉及MOS管制造技术领域，包括以下步骤：步骤一：选取原料多晶硅若干。通过采用将掺杂剂中的杂质原子经过离化变成带点的杂质离子，并使其在电场中加速，获得一定的能量后，直接轰击到硅片衬底内，离子注入剂量均匀，杂质分布灵活，横向扩散小，且工艺重复性好，多次注入通过多次注入使杂质纵向分布精确可控，也可以使杂质分布为设计的形状，并且离子注入完毕后，对硅片衬底将硅片衬底与抛光头之间进行相对运动，并且在运动的过程中在硅片和抛光头加入磨料，表面材料与磨料发生化学反应生成相对容易去除的表层，并同时施加压力平坦化表面，进行平坦化处理。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mos 制造 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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