[发明专利]量测对准标记结构及晶圆结构、厚度量测方法在审
申请号: | 202211375344.1 | 申请日: | 2022-11-04 |
公开(公告)号: | CN115692379A | 公开(公告)日: | 2023-02-03 |
发明(设计)人: | 周都成;徐乃康;杨志远;江颂 | 申请(专利权)人: | 上海积塔半导体有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;H01L21/67 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 赵娟娟 |
地址: | 200123 上海市浦东新区中国*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种量测对准标记结构及晶圆结构、厚度量测方法。所述量测对准标记结构用于化学机械研磨制程的厚度量测对准,包括:一第一标记区,所述第一标记区包括至少一第一对准图案,所述第一对准图案的线条宽度大于或等于预设阈值,以用于量测机台识别对准。本发明通过改进量测对准标记结构,采用线条宽度较宽的对准图案,使得量测机台能够很容易找到对准图案,提高化学机械研磨后量测机台的对准成功率,可增加量测机台的可靠度,从而避免在线收集的薄膜厚度量测结果出现失真,维持生产线的正常运转,进而达到提高产能的功效。 | ||
搜索关键词: | 对准 标记 结构 厚度 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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