[发明专利]量测对准标记结构及晶圆结构、厚度量测方法在审

专利信息
申请号: 202211375344.1 申请日: 2022-11-04
公开(公告)号: CN115692379A 公开(公告)日: 2023-02-03
发明(设计)人: 周都成;徐乃康;杨志远;江颂 申请(专利权)人: 上海积塔半导体有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;H01L21/67
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 赵娟娟
地址: 200123 上海市浦东新区中国*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种量测对准标记结构及晶圆结构、厚度量测方法。所述量测对准标记结构用于化学机械研磨制程的厚度量测对准,包括:一第一标记区,所述第一标记区包括至少一第一对准图案,所述第一对准图案的线条宽度大于或等于预设阈值,以用于量测机台识别对准。本发明通过改进量测对准标记结构,采用线条宽度较宽的对准图案,使得量测机台能够很容易找到对准图案,提高化学机械研磨后量测机台的对准成功率,可增加量测机台的可靠度,从而避免在线收集的薄膜厚度量测结果出现失真,维持生产线的正常运转,进而达到提高产能的功效。
搜索关键词: 对准 标记 结构 厚度 方法
【主权项】:
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