[发明专利]一种有机硅界面修饰提高钙钛矿单晶光伏电池性能的方法在审

专利信息
申请号: 202211377709.4 申请日: 2022-11-04
公开(公告)号: CN115513386A 公开(公告)日: 2022-12-23
发明(设计)人: 程潇;陈召来;郭新博 申请(专利权)人: 山东大学;山东大学苏州研究院
主分类号: H01L51/48 分类号: H01L51/48;H01L51/42;H01L51/44
代理公司: 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 代理人: 王磊
地址: 250061 山东*** 国省代码: 山东;37
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明属于钙钛矿太阳能电池技术领域,具体涉及一种有机硅界面修饰提高钙钛矿单晶光伏电池性能的方法。本发明通过在钙钛矿单晶薄膜表面沉积硅烷,硅烷分子之前可发生相互交联,在钙钛矿单晶表面形成一层保护层,同时其暴露出来的巯基端基也可与单晶表面裸露的Pb进行配位,从而提高钙钛矿单晶光伏电池性能及空气稳定性。通过本发明有机硅界面修饰提高钙钛矿单晶光伏电池性能的方法构建得到的MAPbI3单晶光伏电池的光电转化效率可达22.18%,并在空气环境中保持800h稳定。
搜索关键词: 一种 有机硅 界面 修饰 提高 钙钛矿单晶光伏 电池 性能 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于山东大学;山东大学苏州研究院,未经山东大学;山东大学苏州研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202211377709.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top