[发明专利]一种钽掺杂Ga2在审

专利信息
申请号: 202211379912.5 申请日: 2022-11-04
公开(公告)号: CN115558890A 公开(公告)日: 2023-01-03
发明(设计)人: 黄健;邓洁;黄浩斐;王梦倩;王世琳;刘尊;顾客云;李洪伟;丽娜.阿扎提;张磊;唐可;王林军 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: C23C14/08 分类号: C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 顾勇华
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种Ta掺杂的Ga2O3薄膜的可控制备工艺方法,通过磁控溅射法共溅射氧化钽和氧化镓,生成掺钽的氧化镓薄膜;将所述的掺钽的氧化镓薄膜进行退火。本发明所制备的钽掺杂的氧化镓薄膜表面分布均匀,结构致密,且薄膜厚度可控。本发明的制备方法操作简单,工艺可控性强。该工艺对发展光电探测器、高功率器件、场效应晶体管等器件具有重要意义,在航空航天、轨道交通、能源转换、通信及汽车领域具有广阔的应用前景。
搜索关键词: 一种 掺杂 ga base sub
【主权项】:
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