[发明专利]一种长尺寸SiCf在审

专利信息
申请号: 202211380016.0 申请日: 2022-11-04
公开(公告)号: CN115611633A 公开(公告)日: 2023-01-17
发明(设计)人: 汤哲鹏;董凯;王梦千;刘坤;程仁政;谢宇辉 申请(专利权)人: 核工业第八研究所
主分类号: C04B35/573 分类号: C04B35/573;C04B35/577;C04B35/80;C04B35/622;G21C3/07
代理公司: 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 代理人: 刘燕武
地址: 201800 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种长尺寸SiCf/SiC复合材料包壳(PyC/SiC)n多层界面层及其制备方法,(PyC/SiC)n多层界面层位于SiC纤维和SiC基体之间,其由内向外依次由PyC界面层和SiC界面层交替沉积组成,所述(PyC/SiC)n多层界面层中的n为PyC界面层和SiC界面层交替沉积的次数,n的范围为1‑3,所述(PyC/SiC)n多层界面层的总厚度为100nm~1000nm,所述(PyC/SiC)n多层界面层采用化学气相沉积工艺制备。与现有技术相比,本发明通过CVD工艺工装交替沉积制备PyC界面层和SiC界面层形成的(PyC/SiC)n多层界面层,实现了(PyC/SiC)n多层界面层的均匀沉积,也提高了SiCf/SiC复合材料包壳的抗氧化性能、界面稳定性和力学性能。
搜索关键词: 一种 尺寸 sic base sub
【主权项】:
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