[发明专利]晶圆的切割方法在审
| 申请号： | 202211380570.9 | 申请日： | 2022-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN115592277A | 公开（公告）日： | 2023-01-13 |
| 发明（设计）人： | 李青哲;黄玉录;黄仁耀;苏育生 | 申请（专利权）人： | 常州承芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/38 | 分类号： | B23K26/38;B23K26/70;B23K101/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张瑞 |
| 地址： | 213166 江苏省常州市武*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种晶圆的切割方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括若干相互分立的主芯片区、以及位于相邻所述主芯片区之间的切割道区，所述主芯片区内具有器件结构，所述切割道区内具有切割道；在所述切割道区的顶部表面、以及所述切割道的侧壁和底部表面形成第一切割保护层，所述第一切割保护层的材料包括金属氧化物；在形成所述第一切割保护层之后，沿所述切割道对所述晶圆进行切割处理，使得所述晶圆形成若干所述芯片。由于所述第一切割保护层的材料为金属氧化物，能够有效减少在对晶圆进行激光切割时产生的烧结物，进而减少芯片表面附着烧结物，以此提升产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 切割 方法 | ||
【主权项】：
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