[发明专利]金刚石增强的先进IC与先进IC封装在审
| 申请号： | 202211390231.9 | 申请日： | 2022-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN116093032A | 公开（公告）日： | 2023-05-09 |
| 发明（设计）人： | 唐和明 | 申请（专利权）人： | 铨心半导体异质整合股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/14 | 分类号： | H01L23/14;H01L23/367;H01L23/373 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 郭蔚 |
| 地址： | 中国台湾台北市*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供将金刚石与双晶圆微结构实现于先进IC与先进IC封装中的机会，以形成新类型的IC与SiP，其可超越处于IC发展最前线的硅的限制，主要是因为金刚石具有极端散热能力。金刚石的极端散热能力可用以使处理器与例如GaN HEMT等其他高功率芯片中的热点消散，使IC和封装应用的效能与可靠性增加，应用涵盖HPC、AI、光子、5G RF/mmWave、功率与物联网，且在系统级促使传统运算改变为近存储器运算与存储器中运算。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 增强 先进 ic 封装 | ||
【主权项】：
暂无信息
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