[发明专利]一种基于疏水性铜微米层的低温键合方法在审
| 申请号： | 202211392929.4 | 申请日： | 2022-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN115910803A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 肖金;严继超;屈福康;李武初 | 申请（专利权）人： | 广州华立学院 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/607;B81C1/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 广州慧宇中诚知识产权代理事务所(普通合伙) 44433 | 代理人： | 刘各慧 |
| 地址： | 511316 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于疏水性铜微米层的低温键合方法，先在铜基板上电沉积制备出的铜微米针层；在镀铟液中加入混合物；将铜微米针层放在含有混合物的镀铟液中进行电镀，在铜微米针层表层形成松木状的纳米铟层；得到具有松木状铜铟二级微纳米层基板；然后将石墨烯均匀覆盖在松木状铜铟二级微纳米层上；将其与Sn‑Ag‑Cu合金焊球进行键合；加入混合物使镀铟液在铜微米针层表层形成松木状的纳米铟层，与焊料键合后的剪切强度大；加入石墨烯避免了铜与锡的直接接触，延缓了铜锡化合物的生长，本发明所需键合温度低，通过引入超声能量，降低键合压力，减少键合时间，实现瞬态键合，键合互连可靠性提高，键合不需要保护氛围，节约能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 疏水 微米 低温 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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