[发明专利]一种硅光芯片高密度光电共封装的封装结构及封装方法在审

专利信息
申请号: 202211398685.0 申请日: 2022-11-09
公开(公告)号: CN115632072A 公开(公告)日: 2023-01-20
发明(设计)人: 王真真;李佳;黄欣雨;储涛 申请(专利权)人: 之江实验室
主分类号: H01L31/0203 分类号: H01L31/0203;H01L31/0224;H01L25/16;H01L31/18
代理公司: 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 代理人: 曹兆霞
地址: 311100 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种硅光芯片高密度光电共封装的封装结构及封装方法,包括硅光芯片、扇出结构基板以及转接电路模块,扇出结构基板既作为基板,又作为扇出结构,通过其底部的高密度第二电学引脚、内部电路图以及第三电学引脚,在固定硅光芯片的同时,将硅光芯片的高密度第一电学引脚扇出至第三电学引脚,并采用引线焊接方式与转接电路模块的第四电学引脚电学连接,实现电学封装,并避免封装和使用中的热失配问题。扇出结构基板的工字形状,扇出结构基板的两侧凹槽区域作为避让空间,便于硅光芯片两侧光学耦合端口与外部光纤阵列的耦合封装,满足了电学引脚、光学耦合端口高密度并存的硅光芯片及类似光芯片的封装需求。
搜索关键词: 一种 芯片 高密度 光电 封装 结构 方法
【主权项】:
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