[发明专利]三维沟槽硅电极探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了三维沟槽硅电极探测器及其制备方法，由数个探测单元拼接而成，探测单元包括二氧化硅保护层，二氧化硅保护层上设有外围电极，二氧化硅保护层上和外围电极内设置有硅基体和中心电极，所述硅基体包括基体部分和嵌套部分，嵌套部分内嵌在外围电极内且位于基体部分上，所述中心电极与外围电极之间、嵌套部分与外围电极之间均填充隔离体，所述外围电极、中心电极和隔离体顶部均设有电极接触铝层，其中外围电极和中心电极两个电极接触铝层上均设有电极接触端口。本发明解决了现有探测器对光的吸收系数小，吸收光谱窄，不能充分吸收和利用太阳能的问题。