[发明专利]一种GaN半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202211410018.X | 申请日： | 2022-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN115775832A | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 陈敬沧 | 申请（专利权）人： | 上海百功微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/205;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京双收知识产权代理有限公司 11241 | 代理人： | 窦志梅 |
| 地址： | 201103 上海市闵*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种GaN半导体器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，本发明一种GaN半导体器件包括自下而上依次设置的衬底、设置在衬底上的GaN通道层、设置在GaN通道层上的InGaN插入层和设置在InGaN插入层上的InAIN阻挡层，InAIN阻挡层上光刻出源级区域和漏极区域，源级区域和漏极区域设置有栅极区域，源级区域设有源级、漏极区域设有漏极、栅极区域设有栅极，源级、漏极和栅极一步成型。本发明为一种GaN半导体器件及其制备方法，能够避免因为InAlN的合金散射显著降低2DEG的迁移率，使GaN HEMT器件的迁移率得到显著提高，提高GaN HEMT功率转换和电源管理效率，由改变InGaN插入层中In成分比例调节GaN HEMT器件的带隙宽度，进而调节GaN HEMT器件的击穿电压，以满足不同应用场景的功率需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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