[发明专利]碳化硅基氮化镓器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202211410490.3 | 申请日： | 2022-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN115832040A | 公开（公告）日： | 2023-03-21 |
| 发明（设计）人： | 吴龙江 | 申请（专利权）人： | 深圳天狼芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 阳方玉 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区粤海街道高新区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种碳化硅基氮化镓器件及其制备方法。碳化硅基氮化镓器件包括：半导体衬底以及在半导体衬底的正面依次层叠设置的漂移层、缓冲层、沟道层和势垒层，栅极设于势垒层上，源极设于沟道层上，且设于势垒层的第一侧，中介金属层设于漂移层上，且与缓冲层、沟道层以及势垒层的第二侧接触。漏极设于半导体衬底的背面。本申请通过将漏极设置在半导体衬底的背面，并通过中介金属层连接二维电子气与漂移层，使得源极依次通过二维电子气、中介金属层、漂移层和半导体衬底与漏极连接，在仍具备HEMT器件的高速通断特性的前提下，通过漂移层和半导体衬底提高了器件的耐电高压的能力。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 氮化 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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