[发明专利]一种MOS的低剂量率增强效应仿真模型构建方法在审
| 申请号： | 202211410966.3 | 申请日： | 2022-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN115659697A | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 李兴冀;崔秀海;关恩浩;吕钢 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F17/11 |
| 代理公司： | 北京隆源天恒知识产权代理有限公司 11473 | 代理人： | 鲍丽伟 |
| 地址： | 150000 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种MOS的低剂量率增强效应仿真模型构建方法，涉及元器件辐射模拟方法技术领域，包括如下步骤：步骤S1：构建MOS结构模型，MOS结构模型包括金属栅极、SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 mos 剂量率 增强 效应 仿真 模型 构建 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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