[发明专利]碳化硅MOSFET的结构、制造方法及电子设备在审
| 申请号： | 202211413090.8 | 申请日： | 2022-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN115911093A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 刘涛;黄汇钦 | 申请（专利权）人： | 天狼芯半导体（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 阳方玉 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种碳化硅MOSFET的结构、制造方法及电子设备，属于半导体技术领域，包括外延层、沟道层、有源层、栅极结构、P型半导体柱以及P型柱；沟道层设置于外延层的上表面；有源层设置于沟道层的上表面；栅极结构从有源层的上表面纵向向下穿过有源层和沟道层；P型半导体柱位于栅极结构下表面；P型柱位于沟道层下表面且距离栅极结构预设距离；其中，P型半导体柱的上表面的横截面积大于P型半导体柱的下表面的横截面积；P型柱的上表面的横截面积大于P型柱的下表面的横截面积；提高了碳化硅MOSFET的短路耐量并减小了导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 mosfet 结构 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
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