[发明专利]一种共栅共源型多通道氮化镓HEMT器件及制造方法在审
| 申请号： | 202211415212.7 | 申请日： | 2022-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN115763557A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 王威;黄汇钦 | 申请（专利权）人： | 天狼芯半导体（成都）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/207 |
| 代理公司： | 深圳中创智财知识产权代理有限公司 44553 | 代理人： | 李春林 |
| 地址： | 610000 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种共栅共源型多通道氮化镓HEMT器件结构和制造方法，其中结构包括衬底基板，位于衬底基板一侧的缓冲层，位于所述缓冲层远离所述衬底基板一侧的第一异质结结构及第二异质结结构，所述第一异质结结构包括至少一个AlGaN/GaN异质结，所述第二异质结结构包括多个沿第一方向叠加的AlGaN/GaN异质结，第一电极与所述第一异质结结构一端连接，金属连接部与第一异质结结构另一端连接且与第二异质结结构的一端连接；第二电极与所述第二异质结结构的另一端连接，栅电极位于所述第一异质结结构远离所述衬底基板的一侧。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 共栅共源型多 通道 氮化 hemt 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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