[发明专利]反射型掩模坯料和反射型掩模在审
申请号: | 202211432845.9 | 申请日: | 2022-11-16 |
公开(公告)号: | CN116136642A | 公开(公告)日: | 2023-05-19 |
发明(设计)人: | 生越大河;高坂卓郎 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | G03F1/24 | 分类号: | G03F1/24;G03F1/26 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 谭冀 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及反射型掩模坯料和反射型掩模。所述反射型掩模坯料,包括基板、在所述基板的一个主表面上形成并反射曝光光的多层反射膜。所述多层反射膜具有在其中交替层叠低折射率层和高折射率层的周期性层叠结构部,并且所述低折射率层中的至少一个具有两层结构,所述两层结构由含有钼和至少一种选自由氮、碳、硼、硅和氢构成的组的添加元素的一层和含有钼并基本上不含除钼之外的其它元素的另一层组成。 | ||
搜索关键词: | 反射 型掩模 坯料 | ||
【主权项】:
暂无信息
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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