[发明专利]一种带P-top区的SiC DT-MOSFET结构在审
| 申请号： | 202211453972.7 | 申请日： | 2022-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN115799305A | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 伍伟;高崇兵;喻明康 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带P‑top区的SiC DT‑MOSFET结构，该结构在常规SiC DT‑MOSFET结构的基础上，在栅氧化层的下方表面的中心位置引入了一个P‑top掺杂区。当MOSFET承受超出额定值的反向电压进入雪崩状态时，P‑top掺杂区周围耗尽层中的负电荷将改变栅极下方的横向和纵向电场分布，削弱了碰撞电离率和纵向电场的峰值，达到减少热空穴注入栅氧化层，提高器件UIS可靠性的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 top sic dt mosfet 结构 | ||
【主权项】：
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