[发明专利]一种硅基负极片及其制备方法与二次电池在审
| 申请号： | 202211457093.1 | 申请日： | 2022-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN115775866A | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 孙语蔚;郑银坤;连爽;刘婵;侯敏;曹辉 | 申请（专利权）人： | 瑞浦兰钧能源股份有限公司;上海瑞浦青创新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/134 | 分类号： | H01M4/134;H01M4/13;H01M4/136;H01M4/66;H01M4/139;H01M4/1395;H01M4/1397;H01M4/04;H01M10/0525;H01M10/42 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 王艳斋 |
| 地址： | 325000 浙江省温州市龙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅基负极片及其制备方法与二次电池。所述硅基负极片包括集流体和活性物质层，所述集流体为铜箔，所述活性物质层中的活性物质包括硅材料；所述硅基负极片满足如下关系：T(40000×M+2500)/P；其中，M为硅材料的质量占活性物质总质量的百分含量T为铜箔的拉伸强度，单位为MPA；P为硅基负极片的剥离力，单位为N/m。本发明中提供了一种计算式，当硅基负极片的铜箔的拉伸强度与硅材料的含量、硅基负极片的剥离力之间满足关系时，硅基负极片中的硅颗粒能够被抑制膨胀，且铜箔不容易发生平行于极片方向的延展，避免了导致极片褶皱或卷边的问题出现，从而保证了含硅电池具有优异的循环性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 负极 及其 制备 方法 二次 电池 | ||
【主权项】：
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