[发明专利]一种沟槽型SiC MOSFET元胞结构、制备方法及功能电路在审
| 申请号： | 202211457913.7 | 申请日： | 2022-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN115911132A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 张伟;廖光朝 | 申请（专利权）人： | 重庆云潼科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/16;H01L21/336 |
| 代理公司： | 四川知研律师事务所 51352 | 代理人： | 李位全 |
| 地址： | 400000 重庆市江*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型SiC MOSFET元胞结构、制备方法及功能电路，该元胞结构在栅沟槽之间增加一个源沟槽，所述源沟槽的底部形成若干间隔的P岛，所述源沟槽内填充肖特基金属；所述P岛在SiC MOSFET承受反向耐压时，SiC MOSFET的耗尽层扩展，降低栅沟槽底部的电场强度，提升器件的可靠性，且所述源沟槽内的肖特基金属与所述P岛形成欧姆接触，与N‑外延区域的非P岛区形成肖特基接触，使体二极管的阳极同时包含有肖特基和欧姆接触。本发明提供的沟槽型SiC MOSFET元胞结构的体二极管的元胞结构同时包含有肖特基和欧姆接触，降低了正向导通压降，同时，减小了正面注入效率，降低了反向恢复损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 sic mosfet 结构 制备 方法 功能 电路 | ||
【主权项】：
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