[发明专利]可剥离氮化物结构、其包含的氮化物生长模板及其剥离方法在审
| 申请号： | 202211460522.0 | 申请日： | 2022-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN115939038A | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 张康;何晨光;陈志涛;吴华龙;赵维;刘云洲;廖乾光 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L33/22;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 李彬彬;张函 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可剥离氮化物结构，其包括：氮化物生长模板以及在所述氮化物生长模板上依次形成的微纳米柱结构、腐蚀阻挡层和半导体器件层，其中，所述氮化物生长模板包括：导电支撑层及形成于所述导电支撑层上的氮化物生长层，所述氮化物生长层包括用于生长所述微纳米柱结构的至少在顶端处彼此相分离的多个生长部，和所述微纳米柱结构无法生长的形成于所述多个生长部之间的钝化部，所述微纳米柱结构和所述生长部均导电，且在所述微纳米柱结构的电化学腐蚀条件下，所述生长部不被腐蚀。本发明提供的可剥离氮化物结构，其氮化物生长模板后续可以直接重复利用，直接用于再生长微纳米柱及后续的结构，无需进行额外的表面处理。 | ||
| 搜索关键词： | 剥离 氮化物 结构 包含 生长 模板 及其 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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