[发明专利]一种基于N掺杂CNT构造C@MoSe2@NCNT材料的合成方法

摘要

本发明公开了一种涉及钠离子电池负极材料的合成方法，特别涉及一种基于N掺杂CNT构造C@MoSe2@NCNT材料的合成方法，N掺杂CNT中，N的掺入会增加表面的自由电子数，从而提高导电性，也会一定程度上提高NNMWCNT的吸附能力。本发明方以五氯化钼、Se、CNT、乙二醇(聚乙二醇)为原料，通过超声分散和后续的煅烧法合成C@MoSe2@NMWCNT纳米复合异质结材料。该方法所得产品相比于同类产品，方法简单，能耗低、重复性高，MoSe2、NMWCNT可分散度高，形貌均匀，活性位点多，循环稳定性好(在2A g‑1电流密度下,1100次循环后保持226mA h g‑1的放电比容量；3600次循环后，其为168mA h g‑1)，有利于实现其规模化生产。