[发明专利]垂直增强型β-Ga2在审

专利信息
申请号: 202211470105.4 申请日: 2022-11-22
公开(公告)号: CN115763524A 公开(公告)日: 2023-03-07
发明(设计)人: 马永健;唐文博;张晓东;张宝顺 申请(专利权)人: 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L29/78;H01L21/34
代理公司: 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 代理人: 赵世发
地址: 215123 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种垂直增强型β‑Ga2O3 UMOSFET器件及其制备方法。所述垂直增强型β‑Ga2O3 UMOSFET器件包括外延结构以及与所述外延结构配合设置的源极、漏极和栅极,所述外延结构包括叠层设置的氧化镓衬底、氧化镓漂移层、载流子耗尽区和高掺杂氧化镓外延层,所述载流子耗尽区内的电子被耗尽,槽状结构的槽底设置在所述氧化镓漂移层内,所述源极设置在所述高掺杂氧化镓外延层上并与所述高掺杂氧化镓外延层形成欧姆接触,所述漏极设置在所述氧化镓衬底上并与所述氧化镓衬底形成欧姆接触。本发明实施例提供的一种垂直增强型β‑Ga2O3 UMOSFET器件的制备方法,可通过调控N离子等补偿受主材料的注入浓度控制阈值电压,从而可有效避免误开启的状况。
搜索关键词: 垂直 增强 ga base sub
【主权项】:
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