[发明专利]光电二极管空气隔离结构的制造方法在审

专利信息
申请号: 202211470306.4 申请日: 2022-11-23
公开(公告)号: CN115763624A 公开(公告)日: 2023-03-07
发明(设计)人: 郑晓辉;张栋;范晓;王函;陈广龙 申请(专利权)人: 华虹半导体(无锡)有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L31/102;H01L31/0352;H01L21/764
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 刘昌荣
地址: 214028 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种光电二极管空气隔离结构的制造方法,提供衬底,在衬底上形成有第一外延层以及形成于第一外延层上的刻蚀阻挡层;在刻蚀阻挡层上形成光刻胶层,光刻打开光刻胶使得其下方的刻蚀阻挡层裸露,刻蚀刻蚀阻挡层使得其下方的第一外延层裸露,之后刻蚀裸露的第一外延层,用以形成位于第一外延层上的沟槽;在沟槽上形成侧壁保护层,利用各向异性刻蚀的方法刻蚀凹槽底部的侧壁保护层及其下方的第一外延层,之后利用各向同性刻蚀的方法刻蚀沟槽的底部,使得凹槽的剖面为酒瓶状;去除侧壁保护层,之后在沟槽中形成第二外延层。本发明通过在深沟槽底部形成外延层以形成深层的光电二极管,在纵向拓展其空间,提高光电二极管的感光度。
搜索关键词: 光电二极管 空气 隔离 结构 制造 方法
【主权项】:
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