[发明专利]光电二极管空气隔离结构的制造方法在审
申请号: | 202211470306.4 | 申请日: | 2022-11-23 |
公开(公告)号: | CN115763624A | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 郑晓辉;张栋;范晓;王函;陈广龙 | 申请(专利权)人: | 华虹半导体(无锡)有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/102;H01L31/0352;H01L21/764 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 刘昌荣 |
地址: | 214028 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种光电二极管空气隔离结构的制造方法,提供衬底,在衬底上形成有第一外延层以及形成于第一外延层上的刻蚀阻挡层;在刻蚀阻挡层上形成光刻胶层,光刻打开光刻胶使得其下方的刻蚀阻挡层裸露,刻蚀刻蚀阻挡层使得其下方的第一外延层裸露,之后刻蚀裸露的第一外延层,用以形成位于第一外延层上的沟槽;在沟槽上形成侧壁保护层,利用各向异性刻蚀的方法刻蚀凹槽底部的侧壁保护层及其下方的第一外延层,之后利用各向同性刻蚀的方法刻蚀沟槽的底部,使得凹槽的剖面为酒瓶状;去除侧壁保护层,之后在沟槽中形成第二外延层。本发明通过在深沟槽底部形成外延层以形成深层的光电二极管,在纵向拓展其空间,提高光电二极管的感光度。 | ||
搜索关键词: | 光电二极管 空气 隔离 结构 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的