[发明专利]刻蚀深度监测系统有效
| 申请号： | 202211471245.3 | 申请日： | 2022-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN115513102B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 杨俊;余良;陈骁;冯锐;朱普磊;相奇 | 申请（专利权）人： | 广东芯粤能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/66;G01B11/22 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 周婷婷 |
| 地址： | 511458 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种刻蚀深度监测系统，包括：上位机；刻蚀腔室；刻蚀腔室内具有载台，载台之上承载有晶圆；激光器，位于刻蚀腔室的上方，用于产生入射光信号；第一电机，一端与激光器连接，另一端与上位机连接；光线控制装置，位于刻蚀腔室的上方；光线控制装置用于将入射光信号反射至晶圆的表面以产生第一干涉光信号；第二电机，一端与光线控制装置连接，另一端与上位机连接；光线控制装置的下表面的一侧还设置有第一探测器，第一探测器与上位机连接；第一探测器用于接收第一干涉光信号，并将第一干涉光信号传输至上位机；上位机还用于根据第一干涉光信号得到晶圆的刻蚀深度。采用本申请的刻蚀深度监测系统能够提高监测准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 深度 监测 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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