[发明专利]一种渐变LQB组分的Micro LED外延结构及制作方法

摘要

本发明公开了一种渐变LQB组分的Micro LED外延结构，包括InGaN/GaN多量子阱结构，所述多量子阱结构p型侧的最后一个量子阱势垒层由渐变组分的n型InxGa1‑xN层和p型GaN层组成，由n型侧向p型侧方向所述n型InxGa1‑xN层的In组分x由15％～5％渐变至0％，p型GaN层上设有电子阻挡层。采用渐变n型InxGa1‑xN和p型GaN结构作为Micro LED的LQB层能够有效限制载流子，使得载流子更加匹配，在阱内复合效率更高；能够提高Micro LED芯片在高电流密度注入下整体的效率与发光水平，缓解蓝光Micro LED效率下降的问题。