[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202211476768.7 | 申请日： | 2022-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN115763526A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 张博;杨继业 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李娟 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供衬底；在衬底内形成体区，体区具有第一导电类型；在衬底内形成第一漂移掺杂区、以及位于第一漂移掺杂区内的若干第二漂移掺杂区，第一漂移掺杂区与体区相邻，若干第二漂移掺杂区相互分立，第一漂移掺杂区具有第二导电类型，第二漂移掺杂区具有第一导电类型，第一导电类型和第二导电类型不同；在衬底上形成栅极层，部分栅极层位于体区上，且另一部分栅极层还位于第一漂移掺杂区上；分别在栅极层两侧形成漏区和源区，漏区位于第一漂移掺杂区内，源区位于体区内，源区和漏区具有第二导电类型，在提高器件的耐压特性的同时，降低器件的导通电阻，提高LDMOS器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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