[发明专利]复合衬底及其制备方法、半导体结构在审
| 申请号： | 202211479849.2 | 申请日： | 2022-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN115527843A | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 付志强;朱红波 | 申请（专利权）人： | 广州粤芯半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L29/04;H01L27/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 周婷婷 |
| 地址： | 510700 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及一种复合衬底及其制备方法、半导体结构。复合衬底包括：基底、阻挡层、外延隔离层和外延层。阻挡层设置于基底的背面。外延隔离层设置于基底的正面。外延层设置于外延隔离层的背离基底的表面。所述复合衬底及其制备方法可以减少或消除自掺杂效应对外延层的不利影响，从而改善外延层的电阻率及电阻均匀性，进而提升器件的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 衬底 及其 制备 方法 半导体 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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