[发明专利]一种自循环超导磁体及半导体单晶炉有效
| 申请号： | 202211480180.9 | 申请日： | 2022-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN115527740B | 公开（公告）日： | 2023-03-10 |
| 发明（设计）人： | 苏小海;刘黎明;许皆平;刘赛波;张海栋;刘统亮;张利坤;牛加振;何爱军 | 申请（专利权）人： | 杭州慧翔电液技术开发有限公司 |
| 主分类号： | H01F6/06 | 分类号： | H01F6/06;H01F6/00;C30B15/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 尉立 |
| 地址： | 311100 浙江省杭州市临平区杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提出一种自循环超导磁体及半导体单晶炉，其中，自循环超导磁体包括：直流电源；至少一个超导磁组，至少一个超导磁组串联在直流电源的供电回路上，超导磁组包括：两个串联的超导线圈；自循环开关，自循环开关与至少一个超导磁组并联，自循环开关用于在至少一个超导磁组励磁后使至少一个超导磁组形成自循环回路；冷却装置，冷却装置用于使超导线圈和自循环开关处于超导临界温度以下。在本公开的一种自循环超导磁体及半导体单晶炉中，避免使用较多数量的直流电源，同时也避免使用较多数量的散热部件等辅助器件，而且还减小了保磁过程中交流电转直流电的电能损耗，从而有效降低了半导体单晶硅的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 循环 超导 磁体 半导体 单晶炉 | ||
【主权项】：
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