[发明专利]一种提升硅片少子寿命精度的钝化方法以及钝化设备在审
申请号: | 202211480612.6 | 申请日: | 2022-11-24 |
公开(公告)号: | CN115763626A | 公开(公告)日: | 2023-03-07 |
发明(设计)人: | 牛鹏举;梁兴勃;范宋杰;郑铁波;程建国 | 申请(专利权)人: | 浙江金瑞泓科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 上海泰博知识产权代理有限公司 31451 | 代理人: | 钱文斌 |
地址: | 315800 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种提升硅片少子寿命精度的钝化方法以及钝化设备,包括以下具体步骤:步骤一:将待测硅片放入HF和HNO3的混合溶液中,去除表面的杂质和氧化层;步骤二:每次做硅片热氧化前,需打开炉门,打开N2进气开关吹扫炉腔,确保炉腔无细微颗粒存在;步骤三:关闭炉门,关闭N2进气开关,打开加温开关,以100℃/h的加温速率从室温加热到600‑700℃,炉腔温度达到设定温度后,稳定10‑15min;步骤四:将镜面抛光后的硅片装入片架,打开炉门推入炉腔,关闭炉门;步骤五:高温处理达到规定时间后,打开炉门取出样片采用冷却装置快速冷却到室温,对样片进行少子寿命测试。本发明具有操作简便、成本低、效率高等特点。 | ||
搜索关键词: | 一种 提升 硅片 少子 寿命 精度 钝化 方法 以及 设备 | ||
【主权项】:
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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