[发明专利]高密度InAs/GaAs量子点的生长方法及其产品和应用在审
| 申请号： | 202211481512.5 | 申请日： | 2022-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN115764550A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 丁颖;苏向斌 | 申请（专利权）人： | 南通三彩集成光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/34;C30B23/02;C30B25/18;C30B29/40;C30B29/42 |
| 代理公司： | 苏州国诚专利代理有限公司 32293 | 代理人： | 王会 |
| 地址： | 226001 江苏省南通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了高密度InAs/GaAs量子点的生长方法及其产品和应用，该生长方法包括以下步骤：选取衬底，对衬底进行除气和脱氧处理；在衬底上生长GaAs缓冲层；降温后生长InAs/GaAs量子点；生长GaAs盖层；进行InAs/GaAs量子点消峰；生长In |
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| 搜索关键词： | 高密度 inas gaas 量子 生长 方法 及其 产品 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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