[发明专利]一种大面积无污染制备BN/GRA/BN结构应用于场效应晶体管方法在审
| 申请号： | 202211481845.8 | 申请日： | 2022-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN115732562A | 公开（公告）日： | 2023-03-03 |
| 发明（设计）人： | 曹正义;吴云;陶然 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/267;H01L29/26;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 李国政 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出的是一种大面积无污染制备BN/GRA/BN结构应用于场效应晶体管方法，其目的是解决衬底和栅介质两个界面对石墨烯载流子迁移有很大影响的问题，制备一种大面积无污染的BN/GRA/BN结构。本发明通过BN/GRA/BN结构制备，没有使用转移载体，避免转移载体去除不干净导致的污染；BN/GRA/BN结构制备，BN与GRA材料直接接触，经过高温处理，达到GRA和BN生长温度，使两层Cu接近熔融态，冷却后Cu凝固使GRA与BN结合，避免了传统液相转移导致BN与GRA材料界面存在水及其他杂质残留，实现BN与GRA材料之间完美接触；BN/GRA/BN结构，可以有效降低衬底和栅介质两个界面对石墨烯沟道载流子影响，提高石墨烯晶体管性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大面积 无污染 制备 bn gra 结构 应用于 场效应 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
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