[发明专利]一种基于氮化铟纳米柱的光电极材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202211500512.5 | 申请日： | 2022-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN115747827A | 公开（公告）日： | 2023-03-07 |
| 发明（设计）人： | 李国强;刘乾湖;谢少华;梁杰辉 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C25B1/04 | 分类号： | C25B1/04;C25B1/55;C25B11/052;C25B11/091;C25D9/04;C01B21/06 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 齐键 |
| 地址： | 510641 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于氮化铟纳米柱的光电极材料及其制备方法和应用。本发明的基于氮化铟纳米柱的光电极材料的组成包括衬底、外延生长在衬底单面的氮化铟纳米柱和沉积在氮化铟纳米柱表面的NiFe层状双金属氢氧化物。本发明的基于氮化铟纳米柱的光电极材料的制备方法包括以下步骤：1)在衬底单面外延生长氮化铟纳米柱；2)在氮化铟纳米柱表面沉积NiFe层状双金属氢氧化物。本发明的基于氮化铟纳米柱的光电极材料制成的光电极用于光电化学分解水制氢具有产氢效率高、使用寿命长等优点，且该光电极材料的制备方法简单、生产成本低，适合进行大规模推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 氮化 纳米 电极 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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