[发明专利]用于对半导体电路的剩余寿命建模的电路和技术在审
| 申请号： | 202211503135.0 | 申请日： | 2022-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN116205166A | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | T·泽特勒;R·扎尔曼;G·乔治亚科斯;D·哈默施密特;L·罗斯迈尔;B·格斯托滕鲍尔;V·克利伯格 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/30 | 分类号： | G06F30/30;G06F119/04;G06F119/08 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李兴斌;崔慧玲 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及用于对半导体电路的剩余寿命建模的电路和技术。在一些示例中，一种方法包括经由电路执行电路功能；并评估电路的剩余寿命。此外，评估电路的剩余寿命可以包括：在电路的操作期间的一个时间段内测量一个或多个电路参数，以及基于在电路的操作期间的该时间段内的一个或多个被测量的电路参数来评估电路的剩余寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 对半 导体 电路 剩余 寿命 建模 技术 | ||
【主权项】：
暂无信息
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